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貼片電容如何選型?

作者: 深圳市昂洋科技有限公司發表時間:2022-08-04 17:47:56瀏覽量:2237

電阻又稱之為瓷介電容器,瓷介電容器便是物質原材料為瓷器的電容器,依據結構陶瓷的不一樣,可以分為低頻率瓷器電容器和高頻率瓷器電容器兩大類,按結構形式歸類,又可分為圓片狀電容器、筒狀電容器、矩形框電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種多樣。
文本標簽:貼片電容
電阻又稱之為瓷介電容器,瓷介電容器便是物質原材料為瓷器的電容器,依據結構陶瓷的不一樣,可以分為低頻率瓷器電容器和高頻率瓷器電容器兩大類,按結構形式歸類,又可分為圓片狀電容器、筒狀電容器、矩形框電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種多樣。



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貼片電容歸類

NPO是一種最常見的具備溫度補償特點的片式瓷器電容器。它的添加物質是由銣、釤和一些其他稀缺金屬氧化物構成的。

NPO電容器是容量和介電損耗最平穩的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容積轉變為0&plu ** n;30ppm/℃,容量隨工作頻率的轉變低于&plu ** n;0.3ΔC。NPO電容器的飄移或落后低于&plu ** n;0.05%,相對性超過&plu ** n;2%的薄膜電容而言是可以忽略的。其典型性的數量相對性使用期限的轉變低于&plu ** n;0.1%。NPO電容器隨封裝類型不一樣其容量和介電損耗隨工作頻率轉變的特征也不一樣,大封裝形式規格的要比小封裝形式規格的頻率特點好。下表得出了NPO電容器可選擇的功率范疇。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器合適用以震蕩器、諧振器的槽路電容器,及其高頻電路中的濾波電容。

X7R電容器被稱作溫度沉穩型的瓷器電容器。當環境溫度在-55℃到 125℃時其容積轉變為15%,必須留意的是這時電容器容積轉變是非線性的。

X7R電容器的容積在不一樣的工作電壓和工作頻率標準下是不一樣的,它也隨時間的變動而轉變,大概每10年轉變1%ΔC,主要表現為10年轉變了約5%。

X7R電容器關鍵運用于規定不高的工業生產運用,并且當工作電壓轉變時其容積轉變是可以接納的前提下。它的主要特點是在同樣的容積下容量可以做的較為大。下表得出了X7R電容器可選擇的功率范疇。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

Z5U電容器稱之為”通用性”瓷器片式電容器。這兒最先必須考慮到的是應用溫度范圍,針對Z5U電容器關鍵的是它的小規格和成本低。針對以上三種瓷器片式電容器起來說在同樣的容積下Z5U電容器有較大的容量。但它的容量受自然環境和運行標準危害比較大,它的衰老率較大可達每10年降低5%。

雖然它的容積不穩定,因為它含有小容積、等效電路串連電感器(ESL)和等效電路串聯電阻(ESR)低、優良的相頻特性,使其具備普遍的運用范疇。尤其是在退耦電源電路的使用中。下表得出了Z5U電容器的取值范圍。

封 裝 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U電容器的一些性能指標如下所示:

操作溫度范疇10℃ --- 85℃

溫度特點 22% ---- -56%

介電損耗較大 4%

Y5V電容器是一種有一定溫度限定的通用性電容器,在-30℃到85℃范疇內其容積轉變可達 22%到-82%。

Y5V的高相對介電常數容許在較小的物理學規格下生產出達到4.7μF電容器。

Y5V電容器的取值范圍如下所示表所顯示

封 裝 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

Y5V電容器的一些性能指標如下所示:

操作溫度范疇 -30℃ --- 85℃

溫度特點 22% ---- -82%

介電損耗 較大 5%

貼片式電容器命名方法可到 ** X網址上尋找。不一樣的企業命名方法很有可能略有不同。

貼片電容型號選擇因素

型號選擇因素

主要參數包括電容器值、輸出精度、抗壓、應用溫度、規格,材料和直流電偏置效用。

物質的特性

C0G電容器具備高溫度補償特點,合適作旁路電容和濾波電容

X7R電容器是溫度沉穩型瓷器電容器,合適規定不高的工業生產運用

Z5U電容器特性是小規格和成本低,特別是在合適運用于去耦電源電路

Y5V電容器溫度特點最爛,但容積大,可替代低容電解電容器

MLCC常見的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等差異的物質規格型號,不一樣的尺寸有不一樣的特性和主要用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的關鍵差別是他們的添加物質不一樣。在同樣的容積下因為添充物質不一樣所構成的電容器的容積就不一樣,隨著產生的電容器的介電損耗、容積可靠性等也就不一樣,因此在應用電容器時要依據電容器在線路中功效不一樣來采用不一樣的電容器。

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